增強型磁控陰極?。宏帢O弧技術(shù)是在真空條件下，通過(guò)低電壓和高電流將靶材離化成離子狀態(tài)，從而完成薄膜材料的沉積。增強型磁控陰極弧利用電磁場(chǎng)的共同作用，將靶材表面的電弧加以有效地控制，使材料的離化率更高，薄膜性能更加優(yōu)異。

過(guò)濾陰極?。哼^(guò)濾陰極電弧(FCA )配有高效的電磁過(guò)濾系統，可將離子源產(chǎn)生的等離子體中的宏觀(guān)粒子、離子團過(guò)濾干凈，經(jīng)過(guò)磁過(guò)濾后沉積粒子的離化率為100%，并且可以過(guò)濾掉大顆粒， 因此制備的薄膜非常致密和平整光滑，具有抗腐蝕性能好，與機體的結合力很強。

磁控濺射：在真空環(huán)境下，通過(guò)電壓和磁場(chǎng)的共同作用，以被離化的惰性氣體離子對靶材進(jìn)行轟擊，致使靶材以離子、原子或分子的形式被彈出并沉積在基件上形成薄膜。根據使用的電離電源的不同，導體和非導體材料均可作為靶材被濺射。

離子束DLC：碳氫氣體在離子源中被離化成等離子體，在電磁場(chǎng)的共同作用下，離子源釋放出碳離子。離子束能量通過(guò)調整加在等離子體上的電壓來(lái)控制。碳氫離子束被引到基片上，沉積速度與離子電流密度成正比。星弧涂層的離子束源采用高電壓，因而離子能量更大，使得薄膜與基片結合力很好；離子電流更大，使得DLC膜的沉積速度更快。離子束技術(shù)的主要優(yōu)點(diǎn)在于可沉積超薄及多層結構，工藝控制精度可達幾個(gè)埃，并可將工藝過(guò)程中的顆料污染所帶來(lái)的缺陷降至最小。