PVD主要是一種物理制程而非化學(xué)制程。此技術(shù)一般使用氬等鈍氣，藉由在高真空中將氬離子加速以撞擊濺鍍靶材后，可將靶材原子一個(gè)個(gè)濺擊出來(lái)，并使被濺擊出來(lái)的材質(zhì)（通常為鋁、鈦或其合金）如雪片般沉積在晶圓表面?！VD以真空、濺射、離子化或離子束等方法使純金屬揮發(fā)，與碳化氫、氮氣等氣體作用，加熱至400～600℃（約1～3小時(shí)）後，蒸鍍碳化物、氮化物、氧化物及硼化物等1～10μm厚之微細粒狀薄膜。 　

PVD可分為三種技術(shù)：
   (1)蒸鍍（Evaporation）；
   (2)分子束外延成長(cháng)（Molecular Beam Epitaxy MBE）；
   (3)濺鍍（Sputter）
 PVD技術(shù)有兩種基本工藝：

蒸鍍法和濺鍍法。前者是通過(guò)把被蒸鍍物質(zhì)(如鋁)加熱，利用被蒸鍍物質(zhì)在高溫下(接近物質(zhì)的熔點(diǎn))的飽和蒸氣壓，來(lái)進(jìn)行薄膜沉積；后者是利用等離子體中的離子，對被濺鍍物質(zhì)電極進(jìn)行轟擊，使氣相等離子體內具有被濺鍍物質(zhì)的粒子，這些粒子沉積到硅表面形成薄膜。在集成電路中應用的許多金屬或合金材料都可通過(guò)蒸鍍或濺鍍的方法制造。  淀積鋁也稱(chēng)為金屬化工藝，它是在真空設備中進(jìn)行的。在硅片的表面形成一層鋁膜。